MIUC poly-Si TFT显示驱动电路的性能优化
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TN916.3

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国家自然科学基金 , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 天津市资助项目


Optimization of the Display Driving Circuit for MIUC poly-Si TFT
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    以金属诱导单向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUC poly-Si TFT)为基本器件单元,采用2M1P 5 μmCMOS工艺研制出适合于作全集成有源显示周边驱动的行扫描和列驱动电路.行扫描和列驱动电路的工作频率随工作电压呈指数式增加,然后趋于线性增长.在外加激励信号电压为10 V时,工作频率可以达5 MHz.在5 V电压应力条件下连续工作15000 s,行扫描和列驱动电路的输出特性基本不衰退.将这样的行、列驱动电路集成制作于像素矩阵电路的周边,研制出具有良好动态显示功能的彩色"板上系统(SOP)"型有源选址液晶显示器(AMLCD)模块.

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    引证文献
引用本文

吴春亚,孟志国,李娟,马海英,熊绍珍,王文,郭海成. MIUC poly-Si TFT显示驱动电路的性能优化[J].光电子激光,2007,(11):1276~1279

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  • 最后修改日期:2006-11-29
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