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低p-GaN欧姆接触电阻的研究
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[cstr]
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中图分类号:

TN304.23

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国家自然科学基金 , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 福建省科技攻关项目


The Research of Low Ohmic Contact Resistance to p-GaN
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    利用低压MOCVD系统,获得了p-GaN和p-InGaN/GaN超晶格结构2种材料,用圆形传输线模型(CTLM)测量了它们的比接触电阻率,并对表面处理、金属沉积和合金化处理的工艺条件进行了优化,得到了550℃、O2氛围下合金30 min的最佳条件,获得最低的比接触电阻率为1.99×10-4 Ω·cm2.

    Abstract:

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引用本文

尹以安,刘宝林.低p-GaN欧姆接触电阻的研究[J].光电子激光,2007,(2):216~219

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  • 收稿日期:2006-03-25
  • 最后修改日期:2006-05-24
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