多晶硅太阳电池酸腐表面织构的研究
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TN366

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国家自然科学基金


Texturing of Multicrystalline Silicon Wafers for Solar Cells with Acidic Etching Solutions
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    摘要:

    采用酸腐多晶Si片的方法,获得了各向同性的表面织构.酸腐蚀液选取HF-HNO3混合溶液,并用H3PO4进行改良.分别利用扫描电镜(SEM)和光谱响应系统,分析了腐蚀后多晶Si片的表面形貌和反射率.结果表明,酸腐多晶Si表面分布均匀的蚯蚓状腐蚀坑,反射率很低,在等离子增强化学气相沉积(PECVD)Si3N4减反射膜后,反射率大大下降.

    Abstract:

    Multicrystalline silicon(mc-Si)wafers were isotropically textured using acid texturing methods.The acid etching solution was an aqueous solution of nitric acid(HNO3)and hydrofluoric acid(HF)for the investigation of the wet chemical approach,and it was modified with H3PO4.The mc-Si surface morphology and reflectance were analyzed by scanning electron microscope(SEM)and spectrum response system respectively.Results showed that the surface etched by the acid solution was distributed with uniform earthworm-like etched-pits,and it had a very low reflectance.After PECVD Si3N4 the reflectance decreased remarkably.

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引用本文

王立建,刘彩池,孙海知,郝秋艳.多晶硅太阳电池酸腐表面织构的研究[J].光电子激光,2007,(3):289~291

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  • 收稿日期:2006-05-10
  • 最后修改日期:2006-07-20
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