LaB6电子枪的Kramers-Heisenberg散射与Fermi分布
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TN305.7

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国家自然科学基金 , 山东省自然科学基金


Kramers-Heisenberg Scattering and Fermi Distribution in LaB6 Electron Gun
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    分析了LaB6电子枪的Kramers-Heisenberg散射与电子束能量分布.以SDS-3电子束设备的电子枪为基础,加速电压为30 kV,通过双曲凹面加速器维纳尔(外敷碱土金属氧化物盖)使电子送达Si片靶心(置于光栏前),讨论了维纳尔的电子轨迹与电子枪发射电子的Fermi分布,给出了测量LaB6电子枪分辨率的方法.与考虑了系统像差影响的理论计算结果进行比较,两者的最后结果基本一致.

    Abstract:

    In LaB6 electron gun,Kramers-Heisenberg scattering and Fermi distribution are analyzed.Based on the electron gun of SDS-3 electron beam lithography machine,when the accelerating voltage is 30 kV,the requirements that the electron trajectories and potential distribution must be realized for concave hyperboloid Wehnelt(oxide-coated cover) of accelerator are discussed.Electrons from the gun will be accelerated by a high voltage and reach a target of silicon piece(Front the aperture) via the Wehnelt.Finally,a new method to measure the resolution of LaB6 electron gun is reported.The measurement results are basically the same theoretical calculation.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

尹明,逄明祥. LaB6电子枪的Kramers-Heisenberg散射与Fermi分布[J].光电子激光,2007,(4):385~388

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  • 最后修改日期:2006-02-17
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