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低温ITO薄膜制备及其在TOLED中的应用
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O484

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感谢电子科技大学中青年学术带头人项目


Fabrication of Low-temperature ITO Thin Film and Its Application in TOLEDs
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    通过在直流磁控溅射过程中加入微量水蒸气的方法,在低于60℃温度条件下制备了具有优良光电性能的透明导电ITO薄膜,并探讨了溅射功率、基板温度对ITO薄膜光电性能的影响.利用制得的ITO薄膜作电极,制作了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3/BCP/Mg:Ag/ITO的透明有机电致发光器件(TOLEDs),结果表明,器件的平均透过率达到45%;在驱动电压15 V的条件下,发光亮度达到了3000 cd/m2.

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引用本文

林慧,蒋亚东,于军胜,李军建,王军,邓建芳.低温ITO薄膜制备及其在TOLED中的应用[J].光电子激光,2007,(9):1068~1070

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  • 最后修改日期:2006-07-28
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