基于BCl3感应耦合等离子体的蓝宝石光滑表面刻蚀
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TN405.982

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北京市科委科研项目


Smooth Etching of Sapphire Wafers Using BCl3 Inductively Coupled Plasmas
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    利用Ar/BCl3、Cl2/BCl3和SF6/BCl3感应耦合等离子体(ICP),研究了蓝宝石(Al2O3)材料的干法刻蚀特性.实验表明,优化BCl3含量(80%),可以提高对Al2O3衬底的刻蚀速率;在BCl3刻蚀气体中加入20%的Ar气可以在高刻蚀速率下同时获得优于未刻蚀Al2O3衬底表面的光滑刻蚀表面和较好的刻蚀侧壁,原子力显微镜(AFM)分析得到最优刻蚀平整度为0.039 nm,俄歇电子能谱(AES)分析其归一化Al/O原子比为0.94.

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引用本文

薛小琳,韩彦军,张贤鹏,江洋,马洪霞,刘中涛,罗毅.基于BCl3感应耦合等离子体的蓝宝石光滑表面刻蚀[J].光电子激光,2007,(9):1078~1081

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  • 收稿日期:2006-09-27
  • 最后修改日期:2006-12-22
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