国家重点基础研究发展计划(973计划),国家高技术研究发展计划(863计划),北京市属市管高等学校人才强教计划
研究了一种利用金属自组装纳米掩膜和ICP刻蚀对AlGaInP基发光二极管(LED)表面进行粗化的技术,使光输出得到了提高.粗化了的AlGaInP基LED比常规的AlGaInP基LED,光强提高了27%,光功率提高了12.6%,实验结果具有可重复性.可以进一步优化Au颗粒的周期和分散程度,提高AlGaInP基LED的提取效率.
徐丽华,邹德恕,邢艳辉,宋欣原,徐晨,沈光地.具有纳米级结构出光面的AlGaInP基发光二极管[J].光电子激光,2008,(10):