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液相外延生长GaAs微探尖刻蚀剥离技术研究
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Etching and peeling technique of GaAs microtips grown by liquid-phase epitaxy
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    介绍一种用于扫描近场光学显微术(NSOM)传感头的GaAs微探尖的生长剥离技术.通过SiO2掩膜窗口,利用一次选择液相外延制备周期性阵列的GaA微探尖.在GaAs衬底与GaAs微探尖之间引入AlGaAs层,并对窗口大小的AlGaAs层进行选择腐蚀,将单个GaAs微探尖从GaAs衬底上剥离下来.扫描电子显微镜显示的结果表明,此微探尖具有金字塔结构、表面光滑凡转移过程无损伤.这种技术制备的GaAs微探尖的形貌与质量主要由晶体的结构决定,具有可重复,表面光滑、适合批量生产的优点.

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引用本文

梁秀萍,冯秋菊,张贺秋,田怡春,张红治,孙晓娟,胡礼中.液相外延生长GaAs微探尖刻蚀剥离技术研究[J].光电子激光,2008,(11):

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