首页 > 过刊浏览>2008年第卷第1期 >54-57
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高速沉积μc-Si:H薄膜生长机制及其微结构的研究
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[cstr]
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O484.1

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国家重点基础研究发展计划(973计划)


Study on the growth mechanism and microstructure of high rate growth μc-Si:H thin films
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    采用高压高功率的超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,在腐蚀后的7059玻璃、低晶化和高晶化的微晶硅(μc-Si:H)p型材料3种衬底上,通过改变沉积时间的方法,高速(沉积速率约为1 nm/s)沉积了不同厚度的μc-Si:H薄膜材料.测试其表面形貌及晶化率,比较了不同衬底上高速生长的μc-Si:H薄膜生长机制及微结构的差异,最后得到适于高速沉积pin μc-Si:H太阳电池的μc-Si:H p型材料应具备的条件.

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引用本文

韩晓艳,耿新华,郭群超,袁育杰,候国付,魏长春,张晓丹,孙建,薛俊明,赵颖,蔡宁,任慧志,张德坤.高速沉积μc-Si:H薄膜生长机制及其微结构的研究[J].光电子激光,2008,(1):54~57

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  • 收稿日期:2007-01-08
  • 最后修改日期:2007-05-25
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