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MOCVD生长高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜
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国家高技术研究发展计划(863计划) ?


MOCVD growth of high-reflectivity AIN/GaN distributed Bragg reflectors
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    利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石c面衬底上制备出高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜(DBR).利用分光光度计测量,在418 nm附近最大反射率达到99%.样品表面显微照片显示,有圆弧形缺陷和少量裂纹出现;在缺陷和裂纹以外的区域,DBR具有较为平坦的表面,其粗糙度在10μm×10μm面积上为3.3 m左右.样品的截面扫描电镜(SEM)照片显示,DBR具有良好的周期性.对反射率和表面分析的结果表明,该样品达到了制备GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的要求.

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引用本文

尚景智,张保平,吴超敏,蔡丽娥,张江勇,余金中,王启明. MOCVD生长高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜[J].光电子激光,2008,(12):

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