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基于双绝缘层低电压n-型OFET的研制
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[cstr]
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TN386

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国家自然科学基金 ?


Low voltage n-type OFET based on double insulators
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    采用顶接触结构研制了以Ta2O5/PMMA为绝缘层,有机材料PTCDI-C12为有源层的低电压n型有机场效应晶体管.其中Ta2O5薄膜采用阳极氧化方法制备,PMMA薄膜通过溶液旋涂法制备.与基于单一Ta2O5绝缘层的器件相比,双绝缘层器件的电学性能大幅提高.经测试得到器件场效应电子迁移率为0.063 cm2/Vs,开关电流比为1.7×104,阈值电压为2.3 V.

    Abstract:

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引用本文

周建林,张福甲.基于双绝缘层低电压n-型OFET的研制[J].光电子激光,2008,(12):

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