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高亮度AlGaInP红光发光二极管
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High bright AlGaInP red light LED
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    对用于提高AlGaInP红光发光二极管(LED)出光效率的分布布拉格反射镜(DBR)和增透膜进行了分析,用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长了包含DBR和增透膜的LED,在20 mA注入电流下,LED的峰值波长为623 nm,光强达到200 mcd,输出光功率为2.14 mW.与常规的LED相比,光强和输出光功率有很大的提高.

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引用本文

韩军,李建军,邓军,邢艳辉,于晓东,林委之,刘莹,沈光地.高亮度AlGaInP红光发光二极管[J].光电子激光,2008,(2):

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