首页 > 过刊浏览>2008年第卷第2期 >161-163
PDF HTML阅读 XML下载 导出引用 引用提醒
聚酰亚胺为栅绝缘层的并五苯场效应晶体管
DOI:
CSTR:
[cstr]
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN321

基金项目:

国家自然科学基金


Pentacene organic field-effect transistors with polyimide gate dielectric layer
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
    • |
  • 图/表
    • |
  • 访问统计
    • |
  • 参考文献
    • |
  • 相似文献
    • |
  • 引证文献
    • |
  • 资源附件
    • |
  • 文章评论
    摘要:

    以真空蒸发的有机半导体材料并五苯为有源层,以旋涂的聚酰亚胺作为栅绝缘层,以真空蒸发的Al为栅、源和漏电极,成功制作了顶接触式并五苯有机场效应晶体管(OFET).测试表明,在源漏电压为70 V时,器件的载流子迁移率μ为0.079 cm2/V·s,器件的开关电流比为1.7×104.

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

董茂军,陶春兰,张旭辉,欧谷平,张福甲.聚酰亚胺为栅绝缘层的并五苯场效应晶体管[J].光电子激光,2008,(2):161~163

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:2007-02-03
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码
邮政编码：300384 电话：022-60214470
网址：http://www.joelcn.net E-mail：baenxu@263.net
技术支持：北京勤云科技发展有限公司
光电子激光 ® 2025 版权所有