高亮度AIGalnP红光发光二极管
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TN383

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北京市科委资助项目(D0404003040221)


High bright AIGalnP red light LED
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    对用于提高AIGaInP红光发光二极管(LED)出光效率的分布布拉格反射镜(DBR)和增透膜进行了分析,用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长了包含DBR和增透膜的LED,在20mA注入电流下,LED的峰值波长为623nm,光强达到200mcd,输出光功率为2.14mW。与常规的LED相比,光强和输出光功率有很大的提高。

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引用本文

韩军 李建军 邓军 邢艳辉 于晓东 林委之 刘莹 沈光地.高亮度AIGalnP红光发光二极管[J].光电子激光,2008,(2):171~173

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  • 收稿日期:2007-02-13
  • 最后修改日期:2007-04-02
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