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2.5 Gb/s GaAs PIN/PHEMT单片集成光接收机前端
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TN929.11

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国家自然科学基金 , 国家重点实验室基金


2.5 Gb/s GaAs PIN/PHEMT monolithic integrated optical receiver front end
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    采用0.5 μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种PIN光探测器和分布放大器单片集成850 nm光接收机前端. 探测器光敏面直径为30 μm,电容为0.25 pF,10 V反向偏压下的暗电流小于20 nA.分布放大器-3 dB带宽接近20 GHz,跨阻增益约46 dBΩ;在50 MHz～16 GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03～6.50 dB之间.单片集成光接收机前端在1.0和2.5 Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图.

    Abstract:

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引用本文

焦世龙,叶玉堂,陈堂胜,杨先明,李拂晓,邵凯,吴云峰.2.5 Gb/s GaAs PIN/PHEMT单片集成光接收机前端[J].光电子激光,2008,(2):191~195

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  • 收稿日期:2007-01-25
  • 最后修改日期:2007-07-01
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