二维流体模型的建立及其在微晶硅薄膜中的应用
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O484

基金项目:

国家自然科学基金 , 国家重点基础研究发展规划(973计划) , 科技部国际合作重点项目 , 教育部新世纪优秀人才培养计划 , 天津市自然科学基金 , 南开大学博士启动基金


The study and application of 2-D model for microcrystalline silicon thin film
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    建立二维流体模型,研究甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PEVCVD)高速沉积氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.模型采用平行电容耦合放电方式. 模拟条件与实验条件相同,均为甚高频(70 MHz)、高H2稀释SiH4和高压耗尽区域.模型的几何结构是根据实际高速沉积μc-Si:H薄膜的反应腔室建立的.模型是自适应的,建立在玻尔兹曼方程和泊松方程基础之上,包含87个气相反应和25个表面反应.将模拟沉积速率与相同实验条件下的结果相比较,结果发现,模型在微晶区域运行结果与实验结果吻合得很好.

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引用本文

张发荣,张晓丹,赵颖.二维流体模型的建立及其在微晶硅薄膜中的应用[J].光电子激光,2008,(2):208~212

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  • 收稿日期:2007-02-13
  • 最后修改日期:2007-04-04
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