InP/InGaAs HBT高频放大器稳定性分析
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TN324.1 TN722

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国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家自然科学基金 , 教育部跨世纪优秀人才培养计划 , 北京市教委共建项目


Stability analysis of InP/InGaAs HBT high-frequency amplifier
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    摘要:

    根据异质结双极晶体管(HBT)的实际结构提出高频小信号电路模型,以此模型用于共射放大电路为出发点,从理论上阐明了高频放大电路产生不稳定的原因,分析了端接电阻的稳定方法,借助matlab快速确定出稳定电阻的取值范围,其理论计算与仿真有很好的一致.

    Abstract:

    A high-frequency small-signal circuit model is introduced based on HBT. The instability in high-frequency amplifier and the stability method that adopts port-attached resistance are theoretically analyzed based on comment-emitter amplifier using the above model. The range of resistance can quickly be obtained by matlab,and the theoretical analysis is in good a greement with the simulation.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

吴强,黄永清,黄辉,苗昂,李轶群,崔海林,任晓敏. InP/InGaAs HBT高频放大器稳定性分析[J].光电子激光,2008,(3):296~299

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  • 收稿日期:2007-02-26
  • 最后修改日期:2007-12-17
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