基于图形衬底生长的GaN位错机制分析
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中图分类号:
TN303 TN304
基金项目:
国家自然科学基金 , 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 北京市科委科研项目
Dislocation generation mechanism analysis of GaN grown on patterned sapphire substrate
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引用本文
江洋,罗毅,薛小琳,汪莱,李洪涛,席光义,赵维,韩彦军.基于图形衬底生长的GaN位错机制分析[J].光电子激光,2008,(4):478~481
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- 最后修改日期:2007-04-10
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