基于生长方向的P型ZnO薄膜特性的研究
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O484

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国家自然科学基金 , 天津市自然科学基金 , 南开大学校科研和教改项目 , 科技部国际科技合作项目 , 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 新世纪优秀人才支持计划


Study of electrical and structural properties of p-type ZnO films along to the growth direction
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    摘要:

    利用超声雾化热分解法(USP),通过N-Al共掺的方法,制备出p型ZnO薄膜.利用霍尔测试、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜分析了不同生长时间ZnO薄膜样品的电学特性、结构和表面形貌的变化.结果表明:其它条件固定时,只有在合适的生长时间条件下,才能得到电学性能较好的N-Al共掺p型ZnO薄膜(电阻率为46.8 Ω·cm、迁移率为0.05 cm2·V-1·s-1、载流子浓度是2.86×1018 cm-3.

    Abstract:

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引用本文

焦宝臣,张晓丹,赵颖,魏长春,孙建,赵静,杨瑞霞.基于生长方向的P型ZnO薄膜特性的研究[J].光电子激光,2008,(4):482~485

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  • 最后修改日期:2007-04-04
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