TN386.2
国家自然科学基金 , 国家重点基础研究发展计划(973计划)
为了提高SiO2单绝缘层器件的性能,在SiO2绝缘层的表面用旋涂的方法制备一层大约50 nm厚度的PMMA.实验结果表明用无机/有机双绝缘层可以有效的提高器件的性能同时降低器件的漏电流.计算出了载流子迁移率和开关电流比,基于PMMA/SiO2双绝缘层器件的载流子迁移率和开关电流比分别是4.0×10-3cm2/Vs和104.
刘向,白钰,陈玲,朱文清,蒋雪茵,张志林.具有双绝缘层的有机薄膜晶体管[J].光电子激光,2008,(5):577~580