具有双绝缘层的有机薄膜晶体管
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TN386.2

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国家自然科学基金 , 国家重点基础研究发展计划(973计划)


Organic thin film transistors with double insulator layers
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    为了提高SiO2单绝缘层器件的性能,在SiO2绝缘层的表面用旋涂的方法制备一层大约50 nm厚度的PMMA.实验结果表明用无机/有机双绝缘层可以有效的提高器件的性能同时降低器件的漏电流.计算出了载流子迁移率和开关电流比,基于PMMA/SiO2双绝缘层器件的载流子迁移率和开关电流比分别是4.0×10-3cm2/Vs和104.

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引用本文

刘向,白钰,陈玲,朱文清,蒋雪茵,张志林.具有双绝缘层的有机薄膜晶体管[J].光电子激光,2008,(5):577~580

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  • 最后修改日期:2007-03-27
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