无掩膜激光辅助刻蚀GaAs图形中的衍射条纹分布
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TN305.7

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国家自然科学基金 , 教育部科学技术研究项目 , 四川科技厅资助课题 , 国防重点实验室基金


Diffractive characteristics of laser assisted chemical etching GaAs
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    以菲涅耳直边衍射理论为基础,通过大量实验;对影响激光辅助化学刻蚀图形效果最为明显的直边、宽缝和交叉三种衍射行为进行研究;获得了光强分布与衍射腐蚀条纹分布的主要特性.实验表明,直边衍射的衍射腐蚀深度最大值位于直接照明区,微微偏离阴影边区域缝宽对宽缝衍射的腐蚀条纹特性有较大影响;交叉衍射时,受GaAS晶体取向影响,其刻蚀条纹分布不完全对称.

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引用本文

刘旭,吴云峰,叶玉堂,刘霖,陈镇龙,田骁,罗颖,王昱琳.无掩膜激光辅助刻蚀GaAs图形中的衍射条纹分布[J].光电子激光,2008,(6):773~775

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  • 最后修改日期:2006-12-13
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