140W高功率非对称宽波导980nm半导体激光器
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TN248.4

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中国科学院知识创新工程资助项目(ISCAS2008T12)


140 W high power asymmetric broad waveguide 980 nm semiconductor laser
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    摘要:

    为了提高半导体激光器(LD)的出光功率,优化了P型波导层以及限制层的厚度。将光场的对称分布变成非对称分布,降低了有源区的光限制因子,从而降低了器件腔面的功率密度,避免器件出现腔面灾变损伤(COD);提高LD的电光转换效率,减小器件的散热路径,降低器件的热阻,从而有效抑制了器件的热饱和。设计并制作了非对称宽波导980 nm高功率LD。器件的综合测试性能为:当器件的注入电流为161 A时,器件的输出功率达到139.6 W,对应的斜率效率、电压和电光转换效率分别为0.91 W/A、1.79 V和48.4%。

    Abstract:

    The P-waveguide and P-cladding layers′ thickness which affects the output power is optimized for quantum well diode lasers.The optical mode is shifted from symmetric distribution to asymmetric distribution.which further reduces the optical confinement factor in the quantum well and the power density on the facet.So the catastrophic optical damage(COD)doesn′t appear.On the other hand,the power conversion efficiency(PCE) is improved and the thermal resistance is reduced,which can effectively restr...

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王冠.140W高功率非对称宽波导980nm半导体激光器[J].光电子激光,2009,(10):1310~1313

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