KOH溶液处理对AlGaN紫外探测器暗电流的影响
DOI:
CSTR:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN23

基金项目:

国家自然科学基金资助项目(60807037); 中科院知识创新资助项目(C2-17)


The effect of KOH solution process on dark current of AlGaN ultraviolet photodetectors
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    采用KOH溶液表面处理工艺制备得到了128×1线列日盲AlGaN紫外探测器,器件的反偏暗电流为6.88×10-9A(-8 V时),比未采用此项工艺制备得到的器件的暗电流减小近103倍。元素深度分布俄歇电子谱(AES)等测试结果分析表明,采用这种表面处理工艺可以有效地去除干法刻蚀后材料表面的N空位、刻蚀生成物及自然氧化物,减小了界面态密度,改善了电流-电压特性,减小了反偏暗电流。利用传输线模型TLM计算得到了Ti/Al/Ti/Au金属电极与高Al组分n-Al0.65Ga0.35N材料间的接触电阻率为8.35×10-3Ωcm2。

    Abstract:

    A high electrical performance 128×1 solar-blind ultraviolet photodiode was fabricated by the KOH solution surface process.The dark current with the dropping about 3 orders is 6.88×10-9A at reverse bias 8 V by using the surface process technology.The results of SEM and AES measurements have shown that the KOH solution surface process can efficiently remove the N vacancies,dry-etched products and native oxides,which reduces the density of interface states,improves the current-voltage characteristi...

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

王玲. KOH溶液处理对AlGaN紫外探测器暗电流的影响[J].光电子激光,2009,(10):1323~1326

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码