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1.3 μm InGaNAs/GaAs多量子阱"一镜斜置三镜腔"光探测器
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[cstr]
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国家重点基础研究发展规划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，国际科技合作重点项目，高等学校学科创新引智计划?


Multi-quantum-well InGaNAs/GaAs one mirror inclined three-mirror cavity photodetector operating at 1.3 μm
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    报道了一种基于InGaNAs/CmAs多量子阱的1.3μm GaAs基"一镜斜置三镜腔"光探测器,采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上直接生长高质量的GaAl/AIAs分布布拉格反射镜(DBR)和InOaNAs/GaAs多量子阱吸收层,实现了单片集成的GaAs基长波长"一镜斜置三镜腔"光探测器.探测器的峰值响应波长位于1298.4 nm,光谱响应线宽(FWHM)为1.0 nm,量子效率为3%,在零偏压下其暗电流密度为3.75×10 13A/μm2.

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引用本文

徐玉峰,黄永清,黄辉,倪海桥,牛智川,任晓敏.1.3 μm InGaNAs/GaAs多量子阱"一镜斜置三镜腔"光探测器[J].光电子激光,2009,(1):

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