氧分压对低温反应热蒸发制备ITO薄膜性能的影响
DOI:
CSTR:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:

国家重点基础研究发展规划(973计划),天津市科技发展规划资助项目,天津市国家科技计划配套资助项目,天津市自然科学基金?


Effect of oxygen partial pressure on properties of ITO films deposited by reactive thermal deposition technique
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    采用反应热蒸发法制备ITO薄膜,详细研究了氧分压对薄膜的品体结构及光电性能的影响.当氧分压较小时,在XRD谱中发现了对应于SnO(112)晶向的衍射峰,随着氧分压的增大,薄膜的品体结构变得完整,性能得到了改善,在较低的衬底温度下(Ts=160℃)获得最小的电阻率为5.3×10-4Ωcm,但是,当更多的氧进入薄膜后一方向填充了氧空位,另一方面与Sn4+相结合形成复合中性粒子(Sn+In)2O"2,使得锡的掺杂作用减弱,薄膜的电阻率增大,同时在近红外区域的透过率增大.

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

曹丽冉,陈新亮,薛俊明,张德坤,孙建,赵颖,耿新华.氧分压对低温反应热蒸发制备ITO薄膜性能的影响[J].光电子激光,2009,(1):

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码