提出了基于电子散斑干涉技术(ESPI)可预估局部温度最高区域的加速寿命预测方法.实验通过对芯片样品进行了动态工作模式下的功耗评估,预估了芯片局部温度最高的热源区域,尔后对此区域进行去封装处理;在芯片去封装区域,分别测出常温和高温环境下芯片动态上作模式的裸片表面温度,以此数据作为Arrhenius模型中加速因子的结温,求出加速因子;最后,根据实验得出芯片存高温环境下的寿命时间,即可推出其在正常工作条件下的寿命.结果表明,这种方法具有准确、快速和简单的特点,可广泛应用于微电子器件的正常工作寿命预测.