发光二极管的低频电容特性
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TN312.8

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国家自然科学基金资助项目(60876035)


Low frequency capacitance characteristics of light-emitting diodes
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    通过自建装置精确测试了发光二极管(LED)的低频(小于102Hz)电学特性。电学测量表明,所有LED在低频下都表现出明显的负电容(NC)现象,且频率越低NC现象越明显。调制发光测量表明,相对发光强度在低频下表现出明显饱和现象,并且随频率增加而减小。比较电学和光学的测量结果可以证实,辐射发光是产生NC现象的主要原因。通过对LED电学测量结果的详细分析得出了NC随电压和频率的变化关系式。

    Abstract:

    Low frequency (<102 Hz) electrical characteristics of light-emitting diodes(LEDs) are accurately measured by the self-built-up device.All measured diodes display obvious negative capacitance(NC) at low frequency,and the lower the frequency,the stronger the NC is.At low frequencies,the saturation of the relative-luminescence intensity is observed in the voltage modulation luminescence,and its value decreases with the frequency increase.The comparison of the electrical property with the optical one for LEDs c...

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引用本文

冯列峰.发光二极管的低频电容特性[J].光电子激光,2009,(12):1565~1568

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