国家重点基础研究发展规划(973计划),国家高技术研究发展计划(863计划),北京市人才强教计划?
用真空电子束蒸镀的方法制备半导体发光二极管LED所用的ITO膜,然后在N2气环境中进行快速热退火(RTA)处理,对ITO膜的各项特性进行测试分析.结果表明,ITO的电阻率并不随RTA温度上升单调下降,而是在达到一个峰值后下降,在不超过240 s时间内,ITO电阻率随RTA时间的增加而单调降低,霍尔测试结果表明影响电阻率的主要原因是载流子的迁移率.RTA处理对ITO膜的光透过率有一定的改善作用,并且使膜的折射率上升.
张国伟,朱彦旭,李天磷,沈光地.快速热退火对电子束蒸镀的ITO膜光电特性影响[J].光电子激光,2009,(3):