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基片温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响
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教育部留学回国人员科研启动基金，福建省科技厅重点项目，福建省教育厅资助项目?


Influence of substrate temperature on properties of ZnS films prepared by electron-beam evaporation
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    采用电子束蒸发在不同基片温度下沉积ZnS薄膜,研究了基片温度对薄膜性能的影响.结果表明:不同基片温度下沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态,为体心立方(闪锌矿)结构的β-znS,并具有明显的(111)面择优取向,导电类型为n型.随着成膜时基片温度的提高,薄膜结晶度越来越好,透过率增大,载流子浓度增大,而电阻率减小.

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引用本文

黄红梁,程树英,黄碧华.基片温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响[J].光电子激光,2009,(3):

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