摘要:用磁控溅射工艺,在Si(111)基片上沉积不同调制周期L的Cu/TaN多层膜.用原子力显微镜(AFM)测定薄膜微结构与表面形貌,并基于分形理论研究了薄膜表面形貌.结果表明:TaN调制层为非晶结构,而Cu调制层为多晶结构;Cu调制层比TaN调制层具有较大的分形维数Df值,且随着L增加,Df不断增加;与Cu单层膜相比,最外层为Cu调制层的Cu/TaN多层膜的Df较小;与TaN单层膜相比,最外层为TaN调制层的Cu/TaN多层膜的Df较大;随着L增加,多层膜与对应的单层膜之间的Df差值逐渐减小.