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Cl2/H2刻蚀优化及其在1.55μDFB激光器制作中的应用
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[cstr]
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国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点基础研究发展规划(973计划)?


Processing parameters optimization of Cl2/H2 ICP etching and its used for the fabrication of 1.55 μm DFB laser
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    采用特别设计的InGaAsP/InP多量子阱结构(MQW),研究了Cl2/H2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀损伤,优化了低损伤ICP刻蚀的关键工艺参数,得到了一种低损伤、形貌良好的Bragg光栅的制作方法.结合优化的InP材料金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长工艺,制作出1.55μm分布反馈(DFB)激光器,端面镀膜前其阈值电流和斜率效率分别为15 mA和0.3 mW/mA,边模抑制比大于45 dB.寿命加速老化实验结果显示,该器件40℃的中值寿命超过2×106 h,表明了本文ICP光栅刻蚀工艺的可靠性.

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引用本文

江山,董雷,张瑞康,罗勇,谢世钟. Cl2/H2刻蚀优化及其在1.55μDFB激光器制作中的应用[J].光电子激光,2009,(5):

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