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LP-MOCVD法制作n-ZnO/p-Si异质结及其电致发光研究
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Fabrication of n-ZnO/p-Si heterojunctions by LP-MOCVD and their electroluminescence properties
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    采用低压-金属有机化学气相沉积法(LP-MOCVD)在(100)p-Si衬底上制备未掺杂n型ZnO薄膜,并制作了相应的n-ZnO/p-Si异质结器件.通过X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)光谱和霍尔测试分别研究了所制备薄膜的结构、光学和电学特性.得到具有较高质量的n型ZnO薄膜.在室温条件下,测得了该类异质结器件正向注入电流下可见光和近红外区域的电致发光(EL).

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引用本文

李香萍,张宝林,申人升,张源涛,董鑫,夏晓川. LP-MOCVD法制作n-ZnO/p-Si异质结及其电致发光研究[J].光电子激光,2009,(5):

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