Cu掺杂对ZnO量子点光致发光的影响
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O471.1

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国家自然科学基金资助项目(10904109,60907021,60977035,60877029); 天津市科技发展计划资助项目(09JCYBJC01400,07JCYBJC06400); 天津市“材料物理与化学”重点学科资助项目; 发光与光信息技术教育部重点实验室研究基金资助项目(2010LOI11)


Influence of Cu doping on photoluminescence properties of ZnO quantum dots
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    摘要:

    通过溶液法合成了Cu掺杂ZnO量子点。X射线衍射(XRD)和高分辨电子透射电镜(HRTEM)图像显示Cu掺杂ZnO量子点具有六角纤锌矿结构,晶粒大小为4~5nm。Cu掺杂抑制了ZnO量子点颗粒长大。室温光致发光(PL)谱观察到紫外带边和可见区两个发射峰。随着Cu掺杂浓度的增大,紫外荧光峰位发生缓慢红移,由366nm移到370nm;可见区发射峰位发生蓝移,由525nm移到495nm;同时,两个发射峰强度降低。光谱结果表明:Cu的掺入,一方面抑制表面与O空位有关的缺陷,在495nm出现了与Cu1+有关的发射峰;另一方面,Cu离子掺入ZnO量子点引入一些非辐射中心,降低了自由激子发射。

    Abstract:

    Cu-doped ZnO quantum dots (QDs) are synthesized successfully via a solution-phase method.X-ray diffraction patterns(XRD) and high-resolution transmission electron microscopy(HRTEM) images reveal that Cu-doped ZnO QDs are with hexagonal wurtzite ZnO structure in average particle size of 4-5 nm.Room temperature photoluminescence(PL) spectra show an ultraviolet(UV) band edge emission and a visible emission band.With Cu doping concentration increasing from 0 to 1%, the UV emission peak position slowly shifts fr...

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引用本文

徐建萍. Cu掺杂对ZnO量子点光致发光的影响[J].光电子激光,2010,(11):

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