一种新型透明导电氧化物薄膜—ITO∶Ta
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O484.41

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Novel transparent conductive films ITO:Ta
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    摘要:

    利用磁控溅射,在玻璃基底上沉积了ITO∶Ta薄膜。研究了在不同衬底温度下ITO和ITO∶Ta薄膜的光电性能。高价金属元素Ta掺杂促进薄膜晶化的同时,导致了(400)晶面择优取向的形成。低温沉积的ITO∶Ta薄膜比ITO薄膜展示了较好的光电性能,Ta掺杂使得室温沉积ITO薄膜的效益指数分别由0.003×10-3Ω-1上升到了0.880×10-3Ω-1。透射谱表明,参数的变化引起明显的Burstin-Moss效应,通过直接跃迁的模型研究了光学禁带的变化。

    Abstract:

    ITO∶Ta films are deposited on glass substrates by magnetron sputtering.Electrical and optical properties of ITO and ITO∶Ta films with different substrate temperature are studied.The doping of high-valence metal element Ta favors a better crystalline structure and leads to the formation of the(400)plane preferred orientation.ITO∶Ta films at low substrate temperature show better electrical and optical properties than ITO films.The doping of Ta improves the figure of merit of ITO films deposited at...

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张波.一种新型透明导电氧化物薄膜—ITO∶Ta[J].光电子激光,2010,(1):59~62

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