Si~(4+)掺杂对BaZr(BO_3)_2:Eu荧光粉能量传递的影响
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O482.31

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天津市自然科学基金资助项目(07JCYBJC06400,09JCYBJC01400); 天津市高等学校科技发展基金计划资助项目(20071207)


Influence of Si~(4+) doping on energy-transfer of Eu~(3+) ions in BaZr(BO_3)_2 phosphors
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    摘要:

    采用高温固相法合成了Si4+掺杂的BaZr(BO3)2:Eu红色发光荧光粉。激发光谱表明,不同Si4+掺杂浓度明显使电荷迁移态(CTS)向高能量的位置移动,且改善了样品的发光强度。分析认为,这是由于Si4+的电负性大于所取代的Zr4+,且Si4+的进入影响了Eu3+的配位数,提高了CTS向发光中心的能量传递几率。依据Judd-Ofelt理论计算的强度参数表明,随着Si4+掺杂浓度的增加,Eu3+所处格位的对称性明显降低,增大了Eu3+的跃迁几率,从而改善了发光强度。计算Eu3+间的能量传递几率发现,在掺杂浓度为5%时,Eu3+间的能量传递几率很小,其对荧光粉的发光影响不大。

    Abstract:

    Si4+-doped BaZr(BO3)2:Eu3+ phosphors are prepared by a conventional solid-state reaction method.Because of the stronger electronegativity of Si4+ than Zr4+,the charge transfer state(CTS) of Eu3+-O2-shifts to higher energy location when Zr4+ is substituted by Si4+.The doping of Si4+ ion decreases the coordination number of Eu3+,which improves the energy transfer rates between Eu3+ and O2-.The intensity parameters calculated according to Judd-Ofelt theory show that the Eu3+ ion is located in a more asymmetric...

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引用本文

张忠朋. Si~(4+)掺杂对BaZr(BO_3)_2:Eu荧光粉能量传递的影响[J].光电子激光,2010,(12):

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