V_2O_5/V/V_2O_5薄膜退火条件对其的制备及特性的影响
DOI:
CSTR:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TG156.2

基金项目:

教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-04-0896)


Preparation of V_2O_5/V/V_2O_5 thin film and the impact of annealing conditions on the characteristics
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    利用间歇通O2的方式,采用射频磁控溅射法在Si3N4衬底上制备V2O5/V/V2O5复合薄膜,研究了不同原位退火条件对薄膜阻值及电阻温度系数(TCR)的影响。结果表明,经过退火处理后的V2O5/V/V2O5复合薄膜方阻值大大降低,电阻-温度曲线呈现良好的线性特性,并具有高TCR值及优良的电学稳定性。利用X射线光电子能谱(XPS)对退火后的V2O5/V/V2O5复合薄膜表面进行V、O元素分析,结果表明,V2O5/V/V2O5复合薄膜各层间的扩散效果显著影响薄膜表面不同价态V离子的含量,低价V离子会随着退火温度的升高及退火时间的延长而增多,薄膜表面对水分子的吸附也随之变强。在实验结果的基础上,利用扩散理论阐述了退火条件对V2O5/V/V2O5复合薄膜电学性能影响的机理。

    Abstract:

    V2O5/V/V2O5 multi-layer films have been fabricated on Si3N4 substrate via intermittent-oxygen-supply method by radio frequency magnetron sputtering.The impact of annealing condition on the square resistance and temperature coefficient of resistance(TCR) have been studied.The results indicate that after annealing process the square resistance of V2O5/V/V2O5 multi-layer films decreases largely,and the relation between resistance and temperature shows a good linear property,and these films fulfill high TCR and...

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

罗振飞. V_2O_5/V/V_2O_5薄膜退火条件对其的制备及特性的影响[J].光电子激光,2010,(3):

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码