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基于MCzHQZn的有机电致发光器件
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[cstr]
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中图分类号:

TN383.1

基金项目:

国家青年基金资助项目(10804036); 吉林省科技发展计划资助项目(20080528,20082112); 吉林省教育厅“十一五”科学技术研究计划资助项目([2007]154,[2008]155); 四平科技局计划资助项目(四科合字第2005007号,四科合字第2006008号)


Organic light-emitting devices based on (E)-2-(2-(9-p-tolyl-9H-carbazol-3-yl)vinyl)quinolato-zinc
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    摘要:

    通过结构为ITO/2T-NATA(20nm/NPBx(20nm)/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al、ITO/2T-NATA(30nm/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al和ITO/2T-NATA(20nm/MCzHQZn(30nm)/NPBx(16nm)/BCP(10nm)/Alq3(25nm)/LiF(0.5nm)/Al的3组有机电致发光器件(OLED),证明了MCzHQZn既具有空穴传输特性,又具有较好的发光特性。MCzHQZn在器件1中作发光层,器件最大亮度在电压16V时达到3692cd/m2,电压13V时的最大效率为0.90cd/A,发光的峰值波长为564nm;MCzHQZn在器件2中既作发光层又作空穴传输层,器件最大亮度在电压为13V时达到1929cd/m2,电压12V时的最大效率为0.57cd/A,发光的峰值波长也为564nm;MCzHQZn在器件3中作空穴传输层,由NPBx作发光层,器件最大亮度在电压为14V时达到3556cd/m2,电压9V时的最大效率为1.08cd/A,...

    Abstract:

    Three types of organic light emitting devices with MCzHQZn are introduced.The structure of device 1 is ITO/2T-NATA(20 nm)/NPBX(20 nm)/MCzHQZn(30 nm)/BCP(10 nm)/Alq3(20 nm)/LiF(0.5 nm)/Al.The structure of device 2 is ITO/2T-NATA(30 nm)/MCzHQZn(30 nm)/BCP(10 nm)/Alq3(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al.And the structure of device 3 is ITO/2T-NATA(20 nm)/MCzHQZn(30 nm)/NPBX(16 nm)/BCP(10 nm)/Alq3(25 nm)/LiF(0.5 nm)/Al.The results demonstrate that MCzHQZn has hole-transporting character and better luminous character.In devic...

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引用本文

王广德.基于MCzHQZn的有机电致发光器件[J].光电子激光,2010,(4):

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