NPB层嵌入MgF_2超薄层对OLED性能的影响
DOI:
CSTR:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN383.1

基金项目:

国家自然科学基金资助项目(20671068,60976018); 教育部科学技术重点资助项目(207015); 山西省自然科学基金资助项目(2008011008); 太原市科技明星专项资助项目(07020401)


Improvement of OLED performance by inserting an ultrathin film MgF_2 into the NPB layer
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    将MgF2超薄层嵌入有机电致发光器件(OLED)的空穴传输层NPB中,制备了结构为ITO/NPB(10nm)/MgF2(xnm)/NPB(20nm)/Alq3(30nm)/Al(30nm)的一系列OLED。测试结果表明,合适厚度的MgF2可有效降低器件启亮电压,提高器件的发光效率。MgF2厚度为0.5nm的器件启亮电压只有2.3V,较未嵌入MgF2器件降低2V;MgF2厚度为1.0nm的器件最大电流效率达到3.93cd/A,最大光功率效率达到1.58lm/W,较未嵌入MgF2器件分别提高95%和110%。

    Abstract:

    An ultrathin film of MgF2 is inserted into the hole transport layer NPB of the traditional OLEDs(organic electroluminescent devices),the devices with the structure of ITO/NPB(10 nm)/MgF2(xnm)/NPB(20 nm)/Alq3(30 nm)/Al(30 nm) are fabricated.The results show that the MgF2 interlayer with suitable thickness can decrease the turn on voltage and increase the efficiency of the device.In this experiment,the turn on voltage of the device with 0.5 nm-thickness MgF2 layer is 2.3 V,which is 2 V lower than that of the ...

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

孟维欣. NPB层嵌入MgF_2超薄层对OLED性能的影响[J].光电子激光,2010,(5):

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码