表面修饰的ZnPc薄膜晶体管性能研究
DOI:
CSTR:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN386.2

基金项目:


Investigation of ZnPc thin film transistors with surface modified insulators
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    以热生长的SiO2作为栅绝缘层,酞菁锌(ZnPc)作为有源层,研究了具有十八烷基三氯硅烷(OTS,C18H37SiCl3)/SiO2双绝缘层结构的有机薄膜晶体管(OTFT)。实验表明,采用OTS可以有效地降低SiO2栅绝缘层的表面能并改善表面的平整度,器件的场效应迁移率提高了3.5倍,漏电流从10-9A降到10-10A,阈值电压降低了5 V,开关电流比从103增加到104。结果显示,具有OTS/SiO2双绝缘层的器件结构能有效改进OTFT的性能。

    Abstract:

    An organic thin-film transistor(OTFT) with OTS/SiO2 bilayer gate insulators between gate insulator and source/drain electrodes is investigated.Thermal grown SiO2 layer is used as the OTFT gate dielectric;Zinc phthalocyanine(ZnPc) is used as an active layer.The octadecyltrichlorosilane(OTS) is used to reduce the surface energy of the SiO2 gate dielectric and significantly improve the flat level of the devices.This OTS/SiO2 bilayer gate insulator increases the field-effect mobility by 3.5 times,reduces the le...

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

白钰.表面修饰的ZnPc薄膜晶体管性能研究[J].光电子激光,2010,(6):

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码