引入微晶硅底电池的PIN型三结Si基薄膜太阳电池的制备
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TM914.42

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国家高技术研究发展规划资助项目(2007AA05Z436,2009AA050602);国家重点基础研究发展规划资助项目(2006CB202602,2006CB202603);国家自然科学基金项目(60976051);科技部国际合作重点资助项目(2006DFA62390,2009DFA62580);教育部新世纪人才资助项目(NCET-08-0295);天津科技支撑资助项目(08ZCKFGX03500)


Fabrication of PIN triple-junction Si-based thin film solar cells incorporating microcrystalline silicon as bottom cell
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    摘要:

    为充分利用太阳光谱能量,在玻璃衬底的PIN型a-Si/a-SiGe电池中直接引入了微晶硅(μc-Si:H)底电池。从透明导电氧化物(TCO)衬底的光透过率估算了PIN型a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池实现高转化效率的可行性。通过调整μc-Si:H底电池厚度考察三结电池的性能变化,结果发现,受中间电池的限制,该系列电池性能无显著变化。μc-Si:H电池量子效率(QE)测试结果表明,ZnO背反射层(BR)主要辅助800 nm以上波长光吸收。初步制备的a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池的转换效率(Eff)约为6.5%(Isc=4.75 mA/cm2,Voc=2V,FF=0.71)。 更多还原

    Abstract:

    The potential of PIN triple-junction Si-based thin film solar cells incorporatiing microcrystalline silicon as sub-cell(a-Si/a-SiGe/μc-Si) with a high conversion efficiency was estimated in terms of transparent conductivity oxide(TCO) substrate glass.Only varying μc-Si bottom-cell thickness,it is found that the performance of the triple-junction cells is not affected due to the mid-cell current limit.The quantum efficiency(QE) results of the sub-cells reveal that the ZnO back reflection(BR) laye...

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引用本文

张鹤,郑新霞,张晓丹,刘伯飞,林泉,樊正海,魏长春,孙建,耿新华,赵颖.引入微晶硅底电池的PIN型三结Si基薄膜太阳电池的制备[J].光电子激光,2011,(4):495~498

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