低压高温退火对Ag掺杂ZnO薄膜性质的影响
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O484.41

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国家自然科学基金资助项目(11074041);福建省自然基金资助项目(2007J0317);福建省教育厅基金资助项目(JA08048,JB08065)


Effects of high annealing temperature on properties of Ag doped ZnO thin films under low oxygen pressure
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    摘要:

    采用电子束蒸发在n-Si(100)衬底上沉积Ag掺ZnO(ZnO:Ag)薄膜,随后在200 Pa的O2气氛下分别在500、600、700和800℃退火4 h。用X射线衍射(XRD)仪、荧光光谱仪以及Van der Pauw方法测量ZnO:Ag薄膜的结构和光电学性质。结果表明,ZnO:Ag薄膜为多晶结构,且随着退火温度的升高,样品的结晶性能不断提高,晶粒尺寸从500℃的12.37 nm增加到800℃的32.36 nm;光致发光(PL)谱的紫外发射峰随着退火温度的增加向短波方向移动;薄膜的载流子浓度随退火温度升高而单调增加,电阻率则降低;迁移率的变化较为复杂,500℃退火的样品迁移率达到最大值58.80 cm2/Vs,800℃样品的最低为3.16 cm2/Vs。

    Abstract:

    Ag doped ZnO(ZnO:Ag) thin films were deposited on n-Si(100) substrates by E-beam evaporation technique.The films were subsequently subjected to post annealing at 500,600,700 and 800 ℃ for 4 h under 200 Pa oxygen pressure.The structural,electrical and optical properties of the samples were studied by X-ray diffraction,Van der Pauw method and photoluminescence(PL),respectively.The results show that the samples are polycrystalline.The crystalline performance has been improved by annealing.The cryst...

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引用本文

彭福川,吕佩伟,林林,林丽梅,瞿燕,赖发春.低压高温退火对Ag掺杂ZnO薄膜性质的影响[J].光电子激光,2011,(4):545~549

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