应用于LCD的平栅型碳纳米管场致发射显示器背光源的研制
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TN873

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国家“863”计划重大专项资助项目(2008AA03A313);福建省科技厅资助省属高校资助项目(2008F5001);福州大学科技发展基金资助项目(2008-XY-11)


Development of planar-gate-type CNT-FED back light unit for LCD
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    摘要:

    采用磁控溅射、光刻和湿法刻蚀技术制备平栅型场发射阴极阵列,利用电泳将碳纳米管(CNT)发射源沉积在阴极表面,将阴极板和阳极板封接后制成51 cm单色平栅型CNT场致发射显示器(CNT-FED),作为背光源模板应用于49 cm液晶显示器(LCD)器件中。场发射测试表明,器件在阳极电压3 500 V、栅极电压290 V时,阳极电密度高达81.3μA/cm2,最高亮度可达7000 cd/m2,均匀性为96%;稳定发射7 h后,发射电流无明显衰减。以背光源形式应用于49 cm×25.4 mm LCD器件,亮度可达205 cd/m2。 更多还原

    Abstract:

    Field emission cathode arrays of planar-gate-type triodes are fabricated on the glass substrate by magnetron sputtering,conventional photolithography and chemical wet etching.The carbon nanotube(CNT) emitters were deposited on the cathode by electrophoretic deposition.The cathode plate and anode plate were packaged into a 51-cm monochrome field emission display(FED) with planar-gate-type triode,which is applied for 49-cm liquid crystal display(LCD) as backlight unit and its field emission charac...

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    引证文献
引用本文

张永爱,林金阳,吴朝兴,郭太良.应用于LCD的平栅型碳纳米管场致发射显示器背光源的研制[J].光电子激光,2011,(5):673~676

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