单直波导光学环腔器件的Q值研究
DOI:
CSTR:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN256

基金项目:


Research on the Q factor of single straight waveguide microring resonator
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    为实现高品质因数Q值的光学环腔器件,采用耦合模理论,仿真得出单直波导光学环腔器件的Q值与自耦合系数的关系曲线。以Si3N4为材料,采用与CMOS工艺相兼容的技术制备了波导宽度为2μm,半径为200μm的Si3N4单直波导光学环腔器件。在相同的制备工艺下,同一芯片中不同光学环腔的传输系数相同,通过设计器件中环腔与直波导的间距取得不同的自耦合系数,实验得出器件Q值与自耦合系数的关系,其结果与仿真相一致,因此得出了器件工作在低传输损耗及弱耦合条件下可以取得高Q值的结论。 更多还原

    Abstract:

    The relationship between the Q factor and the self-coupling index of single straight waveguide microring resonator is studied by using coupling mode theory to realize high Q microring resonators.Then the resonators based on Si3N4 waveguides are fabricated by using CMOS compatible techniques with 2 μm wide waveguides and 200 μm in radius.The Q factor and its relation to the self-coupling index of the fabricated microring resonators are measured on the assumption that the resonators in the same ba...

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

陈曜.单直波导光学环腔器件的Q值研究[J].光电子激光,2011,(5):697~700

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码