有机场效应晶体管输出特性的衰变与恢复
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TN386

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天津市高等学校科技发展基金计划资助项目(20091008)


Degradation and recovery for output characteristics of OFETs
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    制作了以并五苯作为有源层的有机场效应晶体管(OFETs)。实验观察表明,在原位条件下,器件有很好的输出特性曲线;但在空气中放置3个月后,输出特性曲线明显衰退,并且关态电流增大;为恢复器件性能,在真空条件下,对器件进行加热处理。实验结果表明,经过热处理的晶体管输出特性极大改善。因此,真空热处理可以使衰退器件的输出特性得到恢复。

    Abstract:

    Organic field-effect transistors(OFETs) using pentacene as channel material were fabricated.Experiments show that the devices present excellent output characteristics measured in situ,while the output characteristics will degrade obviously and the current of source and drain increases significantly when the devices are exposured in air for three months.In order to recovery device performance,the heating treatment was performed in vacuum.The results indicate that the output characteristics of OFE...

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引用本文

戚辉,刘爱华,姜春霞,闫齐齐,张达,曾宪顺,邓家春,印寿根.有机场效应晶体管输出特性的衰变与恢复[J].光电子激光,2011,(7):1000~1002

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