近紫外芯片激发三基色荧光粉制作的白光LED
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TN312.8

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江苏省自然科学基金资助项目(BK2008183);南通市应用研究资助项目(K2010058);南通市公共技术服务平台资助项目(DE2010005);南通大学自然科学研究资助项目(10Z002)


White LEDs from near-ultraviolet chip precoated with RGB phosphors
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    摘要:

    使用近紫外半导体芯片激发红绿蓝三基色荧光粉,制作了白光发光二极管(LED),并研究了其光电特性。结果表明,采用发射峰值波长分别在613、495和451nm的红绿蓝荧光粉,在波长400nm左右半导体芯片激发下的白光LED,其显色指数Ra最大为82;使用YAG荧光粉代替绿色荧光粉后,Ra提高到93。测试结果还表明,当工作电流从5mA增加到60mA时,制备的白光LED的相关色温(Tc)Ra的变化率分别为+9.7%和-1.0%。

    Abstract:

    The white LEDs were fabricated based on RGB(red/green/blue) phosphors excited by near ultraviolet(n-UV) LED chips.The emission peaks of RGB phosphors are 613 nm,495 nm and 451 nm,respectively.The maximum color-rendering index (Ra) of the white-light LED is 82.It is also found that if the green phosphor is replaced by YAG phosphor,the white LEDs′ maximum Ra notably increases to 93.With the driving current changing from 5 mA to 60 mA,the change rates of correlated color temperature and color-rendering index are +9.7% and-1.0%,respectively.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

宋国华,缪建文,姜斌,纪宪明,崔一平.近紫外芯片激发三基色荧光粉制作的白光LED[J].光电子激光,2011,(12):1779~1783

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