基于一维光子晶体高阶禁带性质的带阻滤波器研究
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国家自然科学重点基金(60837001)资助项目


Band-stop filter based on the properties of high-order forbidden band of one dimensional photonic crystal
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    设计了一种基于一维光子晶体(PC,photonic crystal)高阶禁带性质的新型带阻滤波器,其结构形式为Si(空气|Si)5,晶格周期长度为15μm,滤波中心频率位于1.55μm,带宽约为10nm。利用光刻和ICP(inductively coupled plasma)刻蚀技术,将这一滤波器制作在SOI材料上,并对其透射谱特性进行理论计算和实验测量。结果表明,理论计算和实验测量的结果吻合良好,证明了高阶禁带是降低PC加工难度的有效方法。

    Abstract:

    A new type of band-stop filter with center frequency at 1.55 μm and band width about 10 nm is designed,which is based on the high-order forbidden band of one-dimensional photonic crystal(1D PC) with a structure of Si(air|Si)5.The periodic length of 1D PC is 15 μm and it is fabricated on SOI materials by lithographic process and inductively coupled plasma(ICP) process.The filter transmittance spectra are measured and analyzed,and the results obtained from experiment can agree well with that of theory.The results prove that the high-order band gap is an effective method to lower the fabrication difficulty of PC.

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    引证文献
引用本文

陆晓东,周涛,伦淑娴,迟峰.基于一维光子晶体高阶禁带性质的带阻滤波器研究[J].光电子激光,2012,(1):83~88

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