缓冲层对太阳电池用ZnO:B薄膜结构及其光电性能的影响
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TN304

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国家“973”重点基础研究(2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707);国家高技术研究发展计划(2009AA050602,2011AA050503);科技部国际合作(2009DFA62580);天津市应用基础及前沿技术研究(09JCYBJC06900);中央高校基本科研业务费专项资金(65010341)资助项目


Influence of buffer layer on the structural and optic-electronic properties of ZnO:B thin film for solar cells
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    通过优化ZnO缓冲层(buffer layer),有效地改善了由金属有机化学气相沉积(MOVCD)法制备的ZnO:B薄膜的光电特性。结果表明,"富氧"的缓冲层有效增加了ZnO:B-TCO的近红外区域透过率,使其更适应宽光谱薄膜太阳电池的发展要求。经过优化的ZnO:B,"类金字塔"状晶粒尺寸约300~500nm,波长550nm处绒度(haze)为10.8%,薄膜电子迁移率为20.7cm2/Vs,电阻率为2.14×10-3Ω.cm,载流子浓度为1.41×1020cm-3,且在400~1 500nm波长范围内的平均透过率为83%(含2mm厚玻璃衬底)。

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引用本文

杨旭,陈新亮,张建军,闫聪博,赵慧旭,高海波,耿新华,赵颖,张晓丹.缓冲层对太阳电池用ZnO:B薄膜结构及其光电性能的影响[J].光电子激光,2012,(12):2337~2342

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