热处理温度对Li2SrSiO4:Eu2+发光性能的影响
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邓朝勇(1978-),男,教授,博士,博士生导师,研究方向为 新型光电子材料与器件.

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贵州省科技计划(2012-3005,2010-4005,2009-15,2011-2016,2011-2104)和贵阳市科技计划(2012101-2-4)资助项目 (贵州大学 理学院电子科学系 贵州省电子功能复合材料特色重点实验室,贵州 贵阳 550025)


Effects of thermal treatment temperature on photoluminescence properties of Li2SrSiO4:Eu2+ phosphors
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    摘要:

    采用高温固相反应法制备一种白光发光二极管(LED )用黄色荧光粉Li2Sr(1-x)SiO4:xEu2+, 研究测试温度和退火温度对Li2Sr(1-x)SiO4:xEu2+荧光粉发光性能的影响。实验发现,对于 不同掺杂浓度的样品,在不同测试温度下,经过热处理后的样品与未处理样品相 比,激发和发射光谱强度得到普遍提高,原因是热处理后晶体结构的完整性得到 提高。在变温测试下,Li2Sr(1-x)SiO4:xEu2+的发光性能总体是随着测试温度升高而 下降,但在短波长(500~550nm)范围内的发光性能随着温度升高 而增强。分析表明,这与Li2SrSiO4基质材料的晶体结构和掺杂元素有关。

    Abstract:

    Yellow phosphors for white light-emitting diodes (W-LEDs),Li2Sr(1-x)SiO4:xEu2+,were synthesized by solid-state reaction.The influence on photoluminescence proper ties which results from the test temperature and annealing temperature,is investig ated in details.The results indicate that for all samples with different doping conce ntrations,the photoluminescence performance at different test temperatures (from room temperature to 300℃) is improved through thermal treatment,that is,the process of therma l treatment reduces lattice damage resulting from grinding.The emission intensity is generally decreased with test temperature rising,but when emission wavelength is in the range of 500-550nm,the conclusion is reversed,which is related to the crystal structure of Li2SrSiO4and the doped rare earth element.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

吴莘,李绪诚,崔瑞瑞,李良荣,邓朝勇.热处理温度对Li2SrSiO4:Eu2+发光性能的影响[J].光电子激光,2013,(5):956~960

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  • 收稿日期:2012-10-25
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