基于VO2相变的光控太赫兹调制器
DOI:
CSTR:
作者:
作者单位:

作者简介:

李伟(1983-),男,山西人,博士研究生,主要从事太赫 兹可调谐功率器件方面的研究.

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:

国家重点基础研究发展计划(2014CB339800)、国家高技术研究发展计划(2011AA010205)、国家自然科学基金重大项目(61171027和61131005)、教育部科学技术研究重点(重大)项目(313013)和国家教育部新世纪人才支持计划(NCET-11-0068)资助项目 (1.南开大学 现代光学研究所,天津 300071; 2.电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都 610054)


Optical pumping THz modulators based on VO2insulator-metal phase transition
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    基于VO2薄膜相变特性,通过在石英基底上 制备VO2薄膜和亚波长金孔阵列,并 在理论和实验上研究了金属孔阵列与VO2薄膜置于基底同侧和异侧的两种太赫兹(THz)调制 器。系统研究了在光 泵浦条件下两种样品的THz波的传输特性。结果表明,随着泵浦光功率的改变,两种结构 的器件均可以实现 对THz波强度的调制。对比分析两种结构器件的THz透射谱发现,紧邻金属孔阵 列的金属相VO2能够有效地抑制THz表面等离子体的局域透射增强效应,使调制 器的调制深度得到显著增强,这对基于相变材料调制器的设计具有重要意义。

    Abstract:

    Two types of terahertz (THz) modulators consisting of VO2thin film,SiO2su bstrate,and subwavelength metallic hole arrays have been designed and demonstrated.The transmission inten sities of these modulators can be actively tuned by the insulator-metal phase transition of VO2with moderate o ptical pumping.By comparing the two types of structures,it is obvious that the VO2film in metallic phase bene a th the metallic hole arrays can effectively undermine the localized enhancement of THz surface plasmons.By cont rolling the power of the pumping light,the enhanced modulation based on VO2thin film is demonstrated.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

李伟,谷文浩,李吉宁,常胜江,莫漫漫,文岐业,王湘辉,林列.基于VO2相变的光控太赫兹调制器[J].光电子激光,2014,(7):1248~1253

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:2014-03-04
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码