大功率LED伏安特性模型研究
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作者:
作者单位:

(福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州 350002)

作者简介:

郭太良(1963-),男,福建人,研究员,长期 从事场致发射阴极材料、场致发射显示器(FED)和背光源等的研究与开发.

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:

国家“863”计划重大专项(2013AA030601-2)、国家自然科学基金(61405037)、福建省自然科学基金(2015J01193)和福州大学博士启动基金(0100510069)资助项目 (福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州 350002)


Study on the new models of high power LED current-voltage characteristics
Author:
Affiliation:

(College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,Fuzhou 350002,China)

Fund Project:

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    摘要:

    研究了大功率LED芯片的伏安特性。基于LED 芯片的特殊性,从经典的PN结伏安特性出发,进行理论推导并通过选择不同的基函 数,构建出了大功率LED芯片的伏安特性新 模型和优化模型,模型中的系数采用最小二乘法进行确定。对大功率LED芯片的实测 伏安特性数据表明,本文构建出的优化模型比经典的PN结模型更能准确表征LED的伏安特性 ,与实测的伏安特性数据一致性更高,更具实用价值。

    Abstract:

    In this paper,we study the current-voltage characteristics model o f the high power light emitting diode (LED) chip.Based on the particularity of the high power LED chip and the classical current-volta ge characteristic model of PN junction,we put forward a new model of current-voltage characteristics for hi gh power LED chip and its optimization model through theoretical derivation,analysis and selection of dif ferent basis functions.The coefficients of the two new models of current-voltage characteristics for high power LED are then estimated based on the least square method.Subsequently,we conduct comparative study on the actually measured current-voltage characteristic data of high power LED chip from three well-kno wn enterprises.The results show that the two new models out performthe classical current-voltage characteristic model of PN junction in accuracy with a large m argin.In particular,the experimental results from the optimization model are hi ghly consistent with the measured data from the three well-known enterprises.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

徐胜,徐玉珍,陈恩果,郭太良.大功率LED伏安特性模型研究[J].光电子激光,2015,26(11):2076~2082

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  • 收稿日期:2015-08-27
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  • 在线发布日期: 2015-12-17
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